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半導體工藝和器件網頁模擬軟體Cogenda WebTCAD實用教程(集成電器科學與工程系列教材)

  • 作者:編者:王剛//畢津順//劉雪飛|責編:楊博
  • 出版社:電子工業
  • ISBN:9787121515095
  • 出版日期:2025/11/01
  • 裝幀:平裝
  • 頁數:221
人民幣:RMB 69 元      售價:
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內容大鋼
    本書以半導體工藝和器件的模擬為主線,按照由簡入繁、由低及高的原則循序漸進,從模擬的數理基礎及對TCAD/WebTCAD的認識出發,以半導體工藝基礎及器件基礎為知識儲備,引出對基於WebTCAD的二維工藝模擬及二維器件模擬的詳細介紹,並在此基礎上介紹WebTCAD的實例庫及具體應用,從而達到能熟練使用WebTCAD來進行半導體工藝和器件模擬的目的。本書主要內容包括模擬基礎、模擬原理、TCAD/WebTCAD介紹、半導體工藝基礎、半導體器件基礎、基於WebTCAD的二維工藝模擬、基於WebTCAD的二維器件模擬,以及WebTCAD模擬實例等。
    本書可以作為高等院校集成電路、微電子學、電子科學與技術或其他相關專業研究生、高年級本科生的教材,也可以作為集成電路設計人員掌握WebTCAD技術的參考書。

作者介紹
編者:王剛//畢津順//劉雪飛|責編:楊博

目錄
第1章  TCAD模擬概述
  1.1  TCAD
    1.1.1  半導體技術概況
    1.1.2  TCAD模擬工具概況
    1.1.3  TCAD模擬工具發展概況
  1.2  Cogenda WebTCAD
    1.2.1  珂晶達(Cogenda)公司簡介
    1.2.2  Cogenda WebTCAD概況
第2章  半導體數值模擬基礎
  2.1  有限體積法
    2.1.1  有限體積法基本原理
    2.1.2  有限體積法基本思路
  2.2  網格劃分
    2.2.1  網格劃分簡介
    2.2.2  網格劃分分類
    2.2.3  3D網格劃分
    2.2.4  網格無關性
  2.3  TCAD物理模型
    2.3.1  漂移擴散模型
    2.3.2  改進的漂移擴散模型
    2.3.3  能量平衡模型
    2.3.4  密度梯度模型
    2.3.5  帶狀結構模型
  2.4  邊界條件
  2.5  求解
第3章  半導體工藝基礎
  3.1  半導體工藝概況
  3.2  單項製備工藝
    3.2.1  擴散
    3.2.2  離子注入
    3.2.3  氧化
    3.2.4  光刻
    3.2.5  刻蝕
    3.2.6  沉積
第4章  半導體器件基礎
  4.1  能帶理論與場效應原理
    4.1.1  能帶理論
    4.1.2  場效應原理
  4.2  常用半導體器件
    4.2.1  PN結
    4.2.2  PN結二極體
    4.2.3  雙極型晶體管(BJT)
    4.2.4  金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
第5章  WebTCAD二維工藝模擬
  5.1  WebTCAD二維工藝模擬介紹
    5.1.1  Cogenda WebTCAD二維工藝模擬介紹
    5.1.2  Genes模擬器介紹
  5.2  WebTCAD單項工藝模擬
    5.2.1  離子注入
    5.2.2  擴散

    5.2.3  沉積
    5.2.4  光刻
    5.2.5  刻蝕
    5.2.6  外延
    5.2.7  淺槽隔離(STI)
第6章  WebTCAD二維器件模擬
  6.1  二維器件模擬介紹
  6.2  Cogenda WebTCAD二維器件模擬介紹
    6.2.1  Genius模擬器介紹
    6.2.2  器件結構及輸入/輸出
    6.2.3  輸出和探測
  6.3  WebTCAD二維器件模擬流程
  6.4  WebTCAD二維器件模擬結果分析
    6.4.1  直流特性
    6.4.2  模擬結果查看
第7章  WebTCAD模擬實例
  7.1  NPN型BJT模擬
  7.2  部分耗盡型SOI P-MOSFET模擬
參考文獻

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