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晶體管電路設計(理想二極體的設計方法與技巧)/實用電子電路設計叢書

  • 作者：陳石平|責編:任鑫//翟天睿
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111792611
  • 出版日期：2025/11/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：352
人民幣：RMB 99 元      售價：元
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內容大鋼
    本書從簡單到複雜，對理想二極體的設計方法與技巧進行了循序漸進、深入淺出的講解。書中通過大量的實例和圖示，不僅講解了理論知識，還提供了實際操作的具體應用，可幫助讀者在實踐中不斷提高設計水平。本書具體內容包括晶體管基礎，驅動裝置，理想二極體，NMOS型低端理想二極體，PMOS型高端理想二極體，NMOS型高端理想二極體，快速型理想二極體，耐高反向電壓高端理想二極體，以及其他類型理想二極體的設計、原理分析與模擬。
    本書適合電子電路設計工程師、電子產品設計工程師及相關研究人員閱讀，也可作為高等院校相關專業的參考用書。
作者介紹
陳石平|責編:任鑫//翟天睿
目錄
前言
第1章  晶體管基礎
  1.1  半導體歷史
    1.1.1  半導體萌芽
    1.1.2  真空電子管
    1.1.3  能帶理論
    1.1.4  晶體管的誕生
  1.2  二極體類型
    1.2.1  普通二極體
    1.2.2  肖特基二極體
    1.2.3  穩壓二極體
    1.2.4  理想二極體
  1.3  二極體等效模型
    1.3.1  伏安特性
    1.3.2  二極體的電流方程
    1.3.3  二極體等效模型
    1.3.4  二極體微變等效電路
  1.4  晶體管等效模型
    1.4.1  BJT等效模型
    1.4.2  MOS管等效模型
    1.4.3  增強型MOS管體二極體
    1.4.4  增強型MOS管主要參數
  1.5  理想二極體等效模型
    1.5.1  驅動裝置
    1.5.2  電子開關
第2章  驅動裝置
  2.1  二極體對管電壓比較器
    2.1.1  二極體對管共陽極電壓比較電路
    2.1.2  二極體對管共陰極電壓比較電路
  2.2  共基極對管電壓比較器
    2.2.1  NPN對管低端電壓比較器
    2.2.2  PNP對管高端電壓比較器
    2.2.3  NPN對管高端電壓比較器
  2.3  共柵極對管電壓比較器
    2.3.1  NMOS對管低端電壓比較器
    2.3.2  PMOS對管高端電壓比較器
    2.3.3  NMOS對管高端電壓比較器
  2.4  NMOS型低端差分放大器
    2.4.1  NPN對管低端差分放大器
    2.4.2  NMOS對管低端差分放大器
    2.4.3  PNP對管低端差分放大器
    2.4.4  PMOS對管低端差分放大器
  2.5  PMOS型高端差分放大器
    2.5.1  NPN對管高端差分放大器
    2.5.2  NMOS對管高端差分放大器
    2.5.3  PNP對管高端差分放大器
    2.5.4  PMOS對管高端差分放大器
  2.6  NMOS型高端差分放大器
    2.6.1  NPN對管高端差分放大器
    2.6.2  NMOS對管高端差分放大器

    2.6.3  PNP對管高端差分放大器
    2.6.4  PMOS對管高端差分放大器
  2.7  集成運算放大器
    2.7.1  運算放大器
    2.7.2  電壓比較器
    2.7.3  運算放大器和電壓比較器的區別
  2.8  模數轉換器
    2.8.1  模數轉換器概念
    2.8.2  模數轉換器分類
第3章  理想二極體
  3.1  電子開關導通特性
    3.1.1  二極體導通壓降
    3.1.2  NPN管導通阻抗
    3.1.3  PNP管導通阻抗
    3.1.4  NMOS管漏源通道導通阻抗
    3.1.5  PMOS管漏源通道導通阻抗
  3.2  理想二極體分類
    3.2.1  控制電源極性
    3.2.2  晶體管主管數量
    3.2.3  理想二極體類型
    3.2.4  其他分類
第4章  NMOS型低端理想二極體
  4.1  NPN輔管實現低端理想二極體
    4.1.1  技術方案
    4.1.2  理論分析
    4.1.3  模擬測試
  4.2  NMOS輔管實現低端理想二極體
    4.2.1  技術方案
    4.2.2  理論分析
    4.2.3  模擬測試
  4.3  NPN管+二極體構成輔管實現低端理想二極體
    4.3.1  技術方案
    4.3.2  理論分析
    4.3.3  模擬測試
  4.4  NMOS管+二極體構成輔管實現低端理想二極體
    4.4.1  技術方案
    4.4.2  理論分析
    4.4.3  模擬測試
  4.5  NMOS管+NPN管構成輔管實現低端理想二極體
    4.5.1  技術方案
    4.5.2  理論分析
    4.5.3  模擬測試
  4.6  NMOS管+二極體構成輔管+非門實現低端理想二極體
    4.6.1  技術方案
    4.6.2  理論分析
    4.6.3  模擬測試
  4.7  NMOS管+NPN管構成輔管+非門實現低端理想二極體
    4.7.1  技術方案
    4.7.2  理論分析
    4.7.3  模擬測試

  4.8  基於差動放大器的低損耗低端理想二極體
    4.8.1  技術方案
    4.8.2  理論分析
    4.8.3  模擬測試
  4.9  基於差分放大器的低端理想二極體
    4.9.1  技術方案
    4.9.2  理論分析
    4.9.3  模擬測試
  4.10  基於電壓比較器的低端理想二極體
    4.10.1  技術方案
    4.10.2  理論分析
    4.10.3  模擬測試
第5章  PMOS型高端理想二極體
  5.1  PNP輔管實現高端理想二極體
    5.1.1  技術方案
    5.1.2  理論分析
    5.1.3  模擬測試
  5.2  PMOS輔管實現高端理想二極體
    5.2.1  技術方案
    5.2.2  理論分析
    5.2.3  模擬測試
  5.3  PNP管+二極體構成輔管實現高端理想二極體
    5.3.1  技術方案
    5.3.2  理論分析
    5.3.3  模擬測試
  5.4  PMOS管+二極體構成輔管實現高端理想二極體
    5.4.1  技術方案
    5.4.2  理論分析
    5.4.3  模擬測試
  5.5  PMOS管+PNP管構成輔管實現高端理想二極體
    5.5.1  技術方案
    5.5.2  理論分析
    5.5.3  模擬測試
  5.6  PMOS型高端理想二極體實現
    5.6.1  常見PMOS型高端理想二極體
    5.6.2  集成式理想二極體
  5.7  低損耗高端理想二極體
    5.7.1  技術方案
    5.7.2  理論分析
    5.7.3  模擬測試
  5.8  前端控制型高端理想二極體
    5.8.1  技術方案
    5.8.2  理論分析
    5.8.3  模擬測試
  5.9  後端控制型高端理想二極體
    5.9.1  技術方案
    5.9.2  理論分析
    5.9.3  模擬測試
  5.10  輔管參數寬鬆型高端理想二極體
    5.10.1  技術方案

    5.10.2  理論分析
    5.10.3  模擬測試
  5.11  基於帶隙基準的高端理想二極體
    5.11.1  技術方案
    5.11.2  理論分析
    5.11.3  模擬測試
  5.12  基於差分放大器的高端理想二極體
    5.12.1  技術方案
    5.12.2  理論分析
    5.12.3  模擬測試
  5.13  基於電壓比較器的高端理想二極體
    5.13.1  技術方案
    5.13.2  理論分析
    5.13.3  模擬測試
第6章  NMOS型高端理想二極體
  6.1  NPN輔管實現高端理想二極體
    6.1.1  技術方案
    6.1.2  理論分析
    6.1.3  模擬測試
  6.2  NMOS輔管實現高端理想二極體
    6.2.1  技術方案
    6.2.2  理論分析
    6.2.3  模擬測試
  6.3  NPN管+二極體構成輔管實現高端理想二極體
    6.3.1  技術方案
    6.3.2  理論分析
    6.3.3  模擬測試
  6.4  NMOS管+二極體構成輔管實現高端理想二極體
    6.4.1  技術方案
    6.4.2  理論分析
    6.4.3  模擬測試
  6.5  NMOS管+NPN管構成輔管實現高端理想二極體
    6.5.1  技術方案
    6.5.2  理論分析
    6.5.3  模擬測試
  6.6  NMOS型高端理想二極體實現
    6.6.1  外偏置型高端理想二極體
    6.6.2  自偏置理想二極體電路
    6.6.3  零IQ反極性保護智能二極體控制器
    6.6.4  低IQ電池反向保護理想二極體控制器
  6.7  低損耗高端主動二極體
    6.7.1  技術方案
    6.7.2  理論分析
    6.7.3  模擬測試
  6.8  基於NMOS管後端輔管控制高端理想二極體
    6.8.1  技術方案
    6.8.2  理論分析
    6.8.3  模擬測試
  6.9  基於差分放大器的NMOS型高端理想二極體
    6.9.1  技術方案

    6.9.2  理論分析
    6.9.3  模擬測試
第7章  快速型理想二極體
  7.1  NMOS管快速型後端輔管控制低端理想二極體
    7.1.1  概述
    7.1.2  驅動結構
    7.1.3  驅動模塊
    7.1.4  技術方案
    7.1.5  理論分析
    7.1.6  模擬測試
  7.2  NMOS管快速型後端輔管控制高端理想二極體
    7.2.1  概述
    7.2.2  驅動結構
    7.2.3  驅動模塊
    7.2.4  技術方案
    7.2.5  理論分析
    7.2.6  模擬測試
  7.3  NMOS管快速型前端輔管控制低端理想二極體
    7.3.1  概述
    7.3.2  驅動結構
    7.3.3  驅動模塊
    7.3.4  技術方案
    7.3.5  理論分析
    7.3.6  模擬測試
  7.4  NMOS管快速型前端輔管控制高端理想二極體
    7.4.1  概述
    7.4.2  驅動結構
    7.4.3  驅動模塊
    7.4.4  技術方案
    7.4.5  理論分析
    7.4.6  模擬測試
  7.5  基於圖騰柱快速型高端理想二極體
    7.5.1  技術方案
    7.5.2  理論分析
    7.5.3  模擬測試
第8章  耐高反向電壓高端理想二極體
  8.1  基於NMOS管耐高反向電壓的高端理想二極體
    8.1.1  基於二極體對管+NPN對管
    8.1.2  基於二極體對管+NMOS對管
  8.2  基於PMOS管耐高反向電壓的高端理想二極體
    8.2.1  基於二極體對管+PNP對管
    8.2.2  基於穩壓二極體對管+PNP對管
    8.2.3  基於二極體對管+穩壓二極體+PNP對管
  8.3  PMOS對管實現耐高反向電壓的高端理想二極體
    8.3.1  二極體對管+PMOS對管實現耐高反向電壓
    8.3.2  基於二極體對管+PMOS對管實現耐高反向電壓
    8.3.3  基於二極體+穩壓二極體+PMOS對管實現耐高反向電壓
  8.4  倒置PNP對管實現耐高反向電壓的高端理想二極體
    8.4.1  技術方案
    8.4.2  理論分析

    8.4.3  模擬測試
第9章  其他類型理想二極體
  9.1  電流檢測實現高端理想二極體
    9.1.1  電流檢測技術分類
    9.1.2  低端電流檢測
    9.1.3  高端電流檢測
    9.1.4  技術方案
  9.2  基於電流檢測的高端理想二極體
    9.2.1  NMOS主管構成的基於電流檢測的高端理想二極體
    9.2.2  PMOS主管構成的基於電流檢測的高端理想二極體
  9.3  基於電流檢測的低端理想二極體
    9.3.1  技術方案
    9.3.2  理論分析
    9.3.3  模擬測試
  9.4  基於寬工作電流的高端理想二極體
    9.4.1  NMOS主管構成的基於電流檢測的高端理想二極體
    9.4.2  PMOS主管構成的基於電流檢測的高端理想二極體
  9.5  ADC實現高端理想二極體
    9.5.1  PMOS主管+兩路單端輸入ADC
    9.5.2  PMOS主管+偽差分ADC
    9.5.3  NMOS主管+兩路單端輸入ADC+偏置電源
    9.5.4  NMOS主管+偽差分ADC+偏置電源
附錄
參考文獻

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