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光學光刻和極紫外光刻

  • 作者:(德)安迪·愛德曼|責編:孫婧//樓玲玲|譯者:高偉民//徐東波//諸波爾
  • 出版社:上海科技
  • ISBN:9787547857205
  • 出版日期:2023/01/01
  • 裝幀:平裝
  • 頁數:316
人民幣:RMB 195 元      售價:
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內容大鋼
    本書是一本最新的光刻技術專著,內容涉及該領域的各個重要方面。在介紹光刻技術應用上,涵蓋了全面又豐富的內容;在論述光刻技術的物理機制和數學模型時,採用了完整而不煩瑣的方法,增加了可讀性。本書在系統地闡述了光學光刻技術的基本內容后,還專門開闢章節,介紹了最先進的極紫外光刻技術的特點和難點,揭示了極紫外光刻的技術奧秘。本書具有全面、完整、翔實和新穎的特點,它凝聚了作者在光刻領域三十多年科研和教學的精華。
    本書可供光刻技術、激光與物質相互作用、激光等離子體等專業的研究生和教師,以及從事晶元領域的專業技術人員、研發工程師和技術管理人員參考,也可作為光學、微電子和材料工程等專業本科生的參考教材。

作者介紹
(德)安迪·愛德曼|責編:孫婧//樓玲玲|譯者:高偉民//徐東波//諸波爾

目錄
第1章  光刻工藝概述
  1.1  微型化:從微電子到納米技術
  1.2  光刻技術的發展史
  1.3  投影光刻機的空間成像
  1.4  光刻膠工藝
  1.5  光刻工藝特性
  1.6  小結
  參考文獻
第2章  投影光刻的成像原理
  2.1  投影光刻機
  2.2  成像理論
    2.2.1  傅里葉光學描述
    2.2.2  傾斜照明與部分相干成像
    2.2.3  其他成像模擬方法
  2.3  阿貝瑞利準則及其影響
    2.3.1  解析度極限和焦深
    2.3.2  影響
  2.4  小結
  參考文獻
第3章  光刻膠
  3.1  光刻膠概述、常規反應原理和現象學描述
    3.1.1  光刻膠的分類
    3.1.2  基於重氮??的光刻膠
    3.1.3  先進的正型化學放大光刻膠
    3.1.4  現象學模型
  3.2  光刻膠工藝步驟和建模方法
    3.2.1  技術方面
    3.2.2  曝光
    3.2.3  曝光后烘焙
    3.2.4  化學顯影
  3.3  建模方法和緊湊光刻膠模型概述
  3.4  負型與正型光刻膠材料和工藝
  3.5  小結
  參考文獻
第4章  光學解析度增強技術
  4.1  離軸照明
    4.1.1  線空圖形的最佳離軸照明形態
    4.1.2  接觸孔陣列的離軸照明
    4.1.3  從傳統/參數化的照明形態到自由照明形態
  4.2  光學鄰近效應校正
    4.2.1  孤立密集線寬偏差補償
    4.2.2  線端縮短補償
    4.2.3  從基於規則到基於模型的OPC和反演光刻技術
    4.2.4  OPC模型和工藝流程
  4.3  相移掩模
    4.3.1  強相移掩模:交替型相移掩模
    4.3.2  衰減型或弱相移掩模
  4.4  光瞳濾波
  4.5  光源掩模協同優化
  4.6  多重曝光技術

  4.7  小結
  參考文獻
第5章  材料驅動的解析度增強
  5.1  解析度極限的回顧
  5.2  非線性雙重曝光
    5.2.1  雙光子吸收材料
    5.2.2  光閾值材料
    5.2.3  可逆對比增強材料
  5.3  雙重和多重成形技術
    5.3.1  光刻刻蝕光刻刻蝕
    5.3.2  光刻固化光刻刻蝕
    5.3.3  自對準雙重成形
    5.3.4  雙色調顯影
    5.3.5  雙重和多重成形技術的選項
  5.4  定向自組裝
  5.5  薄膜成像技術
  5.6  小結
  參考文獻
第6章  極紫外光刻
  6.1  EUV光源
  6.2  EUV和多層膜中的光學材料特性
  6.3  EUV掩模
  6.4  EUV曝光設備和圖像形成
  6.5  EUV光刻膠
  6.6  EUV掩模缺陷
  6.7  EUV光刻的光學解析度極限
    6.7.1  6.xnm波長的超極紫外光刻
    6.7.2  高數值孔徑EUV光刻
    6.7.3  低k1技術:EUV光刻的光學解析度增強技術
  6.8  小結
  參考文獻
第7章  投影成像以外的光刻技術
  7.1  非投影式光學光刻:接觸式和接近式光刻
    7.1.1  圖像形成和解析度限制
    7.1.2  技術實現
    7.1.3  先進的掩模對準光刻
  7.2  無掩模光刻
    7.2.1  干涉光刻
    7.2.2  激光直寫光刻
  7.3  無衍射限制的光刻
    7.3.1  近場光刻
    7.3.2  利用光學非線性
  7.4  三維光刻
    7.4.1  灰度光刻
    7.4.2  三維干涉光刻
    7.4.3  立體光刻和三維微刻印
  7.5  淺談無光刻印
  7.6  小結
  參考文獻
第8章  光刻投影系統:高級技術內容

  8.1  實際投影系統中的波像差
    8.1.1  波像差的澤尼克多項式表示
    8.1.2  波前傾斜
    8.1.3  離焦像差
    8.1.4  像散
    8.1.5  彗差
    8.1.6  球差
    8.1.7  三葉像差
    8.1.8  澤尼克像差小結
  8.2  雜散光
    8.2.1  恆定雜散光模型
    8.2.2  功率譜密度(PSD)雜散光模型
  8.3  高數值孔徑投影光刻中的偏振效應
    8.3.1  掩模偏振效應
    8.3.2  成像過程中的偏振效應
    8.3.3  光刻膠和晶圓堆棧界面的偏振效應
    8.3.4  投影物鏡中的偏振效應和矢量成像模型
    8.3.5  偏振照明
  8.4  投影光刻機中的其他成像效應
  8.5  小結
  參考文獻
第9章  光刻中的掩模和晶圓形貌效應
  9.1  嚴格電磁場模擬的方法
    9.1.1  時域有限差分法
    9.1.2  波導法
  9.2  掩模形貌效應
    9.2.1  掩模衍射分析
    9.2.2  斜入射效應
    9.2.3  掩模引起的成像效應
    9.2.4  EUV光刻中的掩模形貌效應及緩解策略
    9.2.5  各種三維掩模模型
  9.3  晶圓形貌效應
    9.3.1  底部抗反射塗層的沉積策略
    9.3.2  靠近柵極的光刻膠底部殘餘
    9.3.3  雙重成形技術中的線寬變化
  9.4  小結
  參考文獻
第10章  先進光刻中的隨機效應
  10.1  隨機變數和過程
  10.2  現象
  10.3  建模方法
  10.4  依存性及其影響
  10.5  小結
  參考文獻
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