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IGBT理論與設計(精)

  • 作者：(印度)維諾德·庫馬爾·卡納|責編:江婧婧//翟天睿|譯者:楊兵//康玄武//王楊
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111663522
  • 出版日期：2020/10/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：413
人民幣：RMB 159 元      售價：元
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內容大鋼
    本書首先對不同類型的IGBT工作原理進行了介紹，然後從IGBT的結構出發，給出了IGBT中MOS結構和雙極型結構的工作原理，接下來詳細說明了它們如何影響IGBT的正向傳導特性，詳細研究了IGBT模型，包括靜態、動態和電熱行為，討論了IGBT中的閂鎖效應，以及預防閂鎖的詳細處理方法。借助電腦輔助設計工具深入研究了IGBT單元的設計技術，從結構、摻雜分佈、溝道長度、跨導和正向壓降、導通和開關損耗、單元布圖和間距，以及緩衝層優化，直至場環和場板終端設計。本書還介紹了製造功率IGBT的工藝技術，對功率IGBT模塊和相關的技術進行了討論。對新的IGBT技術也進行了介紹。本書最後介紹了IGBT在電動機驅動，汽車點火控制、電源、焊接、感應加熱等領域中的應用情況。本書涵蓋內容廣泛，講述由淺入深。在各章中提供了大量實例以及附加問題，更加適合課堂教學，同時，每章后給出的參考文獻將為研究人員提供關於IGBT一些有用的指導。
    本書既可以滿足電力電子技術和微電子技術中功率器件相關課程的學生需求，也可以滿足專業工程師和技術人員進行IGBT研究的需求。
作者介紹
(印度)維諾德·庫馬爾·卡納|責編:江婧婧//翟天睿|譯者:楊兵//康玄武//王楊
    維諾德·庫馬爾·卡納（Vinod Kumar Khanna）于1952年出生在印度Lucknow。他目前是印度Pilani中央電子工程研究所固態器件部門的科學家。1988年在Kurukshetra大學獲得了物理學博士學位。在過去的幾十年裡，他在功率半導體器件、工藝設計和器件製造方面做了大量的研究工作。他的研究工作主要集中在高壓大電流整流器、高壓電視偏轉晶體管、達林頓功率晶體管、逆變級晶閘管，以及功率DMOSFET和IGBT。     （Khanna）博士在國際期刊和會議上發表了30多篇研究論文，並撰寫了兩本專著。他于1986年在科羅拉多州丹佛市的IEEE-IAS年會上發表了論文，並於1999年擔任德國Darmstadt技術大學客座科學家。他是印度IETE的會士以及半導體協會和印度物理協會的終身會員。
目錄
譯者序
原書前言
原書致謝
作者簡介
第1章  功率器件的演變和IGBT的出現
  1.1  背景介紹
  1.2  IGBT
  1.3  IGBT的優缺點
  1.4  IGBT的結構和製造
  1.5  等效電路的表示
  1.6  工作原理及電荷控制現象
  1.7  電路建模
  1.8  IGBT的封裝選擇
  1.9  IGBT的操作注意事項
  1.10  IGBT柵極驅動電路
  1.11  IGBT的保護
  1.12  小結
  練習題
  參考文獻
第2章  IGBT基礎和工作狀態回顧
  2.1  器件結構
    2.1.1  橫向IGBT和垂直IGBT
    2.1.2  非穿通IGBT和穿通IGBT
    2.1.3  互補器件
  2.2  器件工作模式
    2.2.1  反向阻斷模式
    2.2.2  正向阻斷和傳導模式
  2.3  IGBT的靜態特性
    2.3.1  電流-電壓特性
    2.3.2  IGBT的轉移特性
  2.4  IGBT的開關行為
    2.4.1  IGBT開啟
    2.4.2  具有電阻負載的IGBT開啟
    2.4.3  具有電感負載的IGBT開啟
    2.4.4  IGBT關斷
    2.4.5  帶有電阻負載的IGBT關斷
    2.4.6  帶有電感負載的IGBT關斷
    2.4.7  關斷時間對集電極電壓和電流的依賴性
    2.4.8  NPT-IGBT和PT-IGBT的軟開關性能
    2.4.9  並聯的考慮
  2.5  安全工作區域
    2.5.1  柵極電壓振蕩引起的不穩定性
    2.5.2  可靠性測試
  2.6  高溫工作
  2.7  輻射效應
  2.8  溝槽柵極IGBT和注入增強型IGBT
  2.9  自鉗位IGBT
  2.10  IGBT的額定值和應用
  2.11  小結
  練習題

  參考文獻
第3章  IGBT中的MOS結構
  3.1  一般考慮
    3.1.1  MOS基本理論
    3.1.2  功率MOSFET結構
    3.1.3  MOSFET-雙極型晶體管比較
  3.2  MOS結構分析和閾值電壓
  3.3  MOSFET的電流-電壓特性、跨導和漏極電阻
  3.4  DMOSFET和UMOSFET的導通電阻模型
    3.4.1  DMOSFET模型
    3.4.2  UMOSFET模型
  3.5  MOSFET等效電路和開關時間
  3.6  安全工作區域
  3.7  中子和伽馬射線損傷效應
  3.8  MOSFET的熱行為
  3.9  DMOSFET單元窗口和拓撲設計
  3.10  小結
  練習題
  參考文獻
  附錄3.1  式（3.2a）和式（3.2b）的推導
  附錄3.2  式（3.7）的推導
  ……
第4章  IGBT中的雙極型結構
第5章  IGBT的物理建模
第6章  IGBT中寄生晶閘管的閂鎖
第7章  IGBT單元的設計考慮
第8章  IGBT工藝設計與製造技術
第9章  功率IGBT模塊
第10章  新型IGBT的設計理念、結構創新和新興技術
第11章  IGBT電路應用

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