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二維化合物的吸附特性

  • 作者:琚偉偉
  • 出版社:化學工業
  • ISBN:9787122352729
  • 出版日期:2020/01/01
  • 裝幀:平裝
  • 頁數:106
人民幣:RMB 48 元      售價:
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內容大鋼
    本書是作者近年來在對二維化合物材料的電子結構、磁特性以及相變的研究基礎上撰寫而成的,系統地介紹了吸附、摻雜、缺陷等調控方法對二維MoS2和InSe材料的電子性質及磁特性的影響。全書共分七章,前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法。第3章介紹了Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構、電子性質的影響,第4章介紹了反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響,第5章介紹了非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響,第6章介紹了3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響,第7章介紹了小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響。
    本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考,也可作為高等院校相關專業的本科生和研究生的參考書。

作者介紹
琚偉偉

目錄
第1章  緒論
  1.1  單層二硫化鉬(MoS2) 研究進展
    1.1.1  石墨烯
    1.1.2  二硫化鉬(MoS2)
    1.1.3  單層MoS2缺陷吸附摻雜研究
  1.2  單層硒化銦(InSe) 研究進展
    1.2.1  InSe簡介
    1.2.2  InSe電子結構及性質
  參考文獻
第2章  理論方法
  2.1  能帶理論的三大近似
    2.1.1  絕熱近似
    2.1.2  單電子近似(密度泛函理論)
    2.1.3  周期性勢場近似(布洛赫定理)
  2.2  勢與波函數的處理
    2.2.1  平面波方法
    2.2.2  原子軌道線性組合法
    2.2.3  贗勢方法
    2.2.4  投影綴加波法
  2.3  Kohn-Sham方程的自洽求解
  參考文獻
第3章  Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構和電子性質的影響
  3.1  概述
  3.2  計算模型和方法
  3.3  結構及電子性質
    3.3.1  Aun團簇吸附於非缺陷單層MoS2
    3.3.2  Au團簇在單S空位MoS2上的吸附
    3.3.3  Au團簇在反位缺陷MoS2上的吸附
  參考文獻
第4章  反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響
  4.1  概述
  4.2  計算方法和模型
  4.3  電子及磁學性質
    4.3.1  反位缺陷MoS2的電子性質
    4.3.23  d過渡金屬原子吸附對反位缺陷MoS2的電子及磁學性質的影響
  參考文獻
第5章  非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響
  5.1  概述
  5.2  計算模型和方法
  5.3  吸附位置及磁學性質
    5.3.1  非金屬原子的吸附位置
    5.3.2  非金屬原子吸附對MoS2磁學及電子性質的影響
  參考文獻
第6章  3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響
  6.1  概述
  6.2  計算模型和方法
  6.3  穩定性、電學及磁學性質
    6.3.1  幾何結構和穩定性
    6.3.2  電子結構
    6.3.3  磁性

    6.3.4  能帶結構
  參考文獻
第7章  小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響
  7.1  概述
  7.2  計算模型和方法
  7.3  吸附對電學及磁學性質的影響
    7.3.1  CO吸附
    7.3.2  H2O吸附
    7.3.3  NH3吸附
    7.3.4  N2吸附
    7.3.5  NO2吸附
    7.3.6  NO吸附
    7.3.7  O2吸附
參考文獻

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